На главную

УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

Uкэ..................... постоянное напряжение коллектор-эмиттер

Uкэо,гр................ граничное напряжение

Uкэо.................... постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю
UкэR.................. постоянное   напряжение   коллектор-эмиттер  при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
Uкэк.................... постоянное   напряжение   коллектор-эмиттер  при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
Uкэх.................... постоянное  напряжение  коллектор-эмиттер  при заданном обратном напряжении база-эмиттер
UкэR............... импульсное  напряжение   коллектор-эмиттер   при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
Uкэк,и................. импульсное   напряжение   коллектор-эмиттер  при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
Uкэх,и................. импульсное   напряжение   коллектор-эмиттер   при заданном обратном напряжении база-эмиттер
Uкэо,проб.......... пробивное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю
UкэR,проб......... пробивное   напряжение   коллектор-эмиттер   при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
Uкэк,проб.......... пробивное   напряжение   коллектор-эмиттер  при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
Uкэх,проб............ пробивное   напряжение   коллектор-эмиттер   при заданном обратном напряжении база-эмиттер
Uкэ,макс.............. максимально допустимое  постоянное   напряжение коллектор-эмиттер
Uкэ,и,макс......... максимально допустимое  импульсное  напряжение коллектор-эмиттер

Uкб.................... постоянное напряжение коллектор-база

Uкб, и................. импульсное напряжение коллектор-база

Uкбо, проб............ пробивное напряжение коллектор-база при токе базы, равном нулю
Uкб, макс............ максимально допустимое  постоянное   напряжение коллектор-база
Uкб,и,макс........ максимально допустимое  импульсное  напряжение коллектор-база
Uэбо, проб........... пробивное напряжение эмиттер-база при токе базы, равном нулю

Uэб..................... постоянное напряжение эмиттер-база

Δ Uбэ................. падение напряжения на участке база-эмиттер

Uэб,макс............. максимально  допустимое   постоянное   напряжение эмиттер-база

Uси................... напряжение сток-исток

Uзи ................... напряжение затвор-исток

Uип................... напряжение исток-подложка

Uси,макс........... максимально допустимое напряжение сток-исток

Uзи,макс........... максимально допустимое напряжение затвор-исток

Uзс,макс........... максимально допустимое напряжение затвор-сток

Uсп,макс........... максимально допустимое напряжение сток-подложка

Uип,макс.......... максимально допустимое напряжение исток-подложка

Uзп,макс........... максимально допустимое напряжение затвор-подложка

Uзи пор............. пороговое напряжение полевого транзистора

Uзи отс.............. напряжение отсечки

Uп...................... напряжение литания

Iк........................ постоянный ток коллектора

Iэ........................ постоянный ток эмиттера

Iб....................... постоянный ток базы

Iк,и..................... импульсный ток коллектора

Iэ,и..................... импульсный ток эмиттера

Iб,и ................... импульсный ток базы

Iкр...................... критический ток биполярного транзистора

Iк,нас ................ постоянный ток коллектора в режиме насыщения

I,нас................... постоянный ток базы в режиме насыщения

Iк,макс............... максимально допустимый постоянный ток коллектора

Iэ,макс............... максимально допустимый постоянный ток эмиттера

Iб,макс.............. максимально допустимый постоянный ток базы

Iк,и,макс............ максимально допустимый импульсный ток коллектора

Iэ,и,макс............ максимально допустимый импульсный ток эмиттера

Iкбо................... обратный ток коллектора

Iэбо................... обратный ток эмиттера

IкэR.................... обратный ток коллектор-эмиттер

Iс,макс .............. максимально допустимый постоянный ток стока

Iс,ост.................. остаточный ток стока

Iз(пр),макс......... максимально допустимый прямой ток затвора

Iс,и,макс............ максимально допустимый импульсный ток стока

Iс нач ................. начальный ток стока

Iз ут.................... ток утечки затвора

Сг........................ емкость генератора

Сэ....................... емкость эмиттерного перехода

Ск....................... емкость коллекторного перехода

С11 и................... входная емкость полевого транзистора

С22  и................................. выходная емкость полевого транзистора

C12 и................... проходная емкость полевого транзистора

Сзсо................... емкость затвор-сток при отсоединенном выводе истока

Сзио.................... емкость затвор-исток при отсоединенном выводе стока

f.......................... частота

fгр...................... граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (ОЭ)
Кур..................... коэффициент усиления по мощности биполярного (полевого) транзистора
Кш....................... коэффициент   шума   биполярного   (полевого) транзистора

Кнас................... коэффициент насыщения

Кст U................ коэффициент стоячей волны по напряжению

l.......................... длина выводов

Р......................... постоянная  рассеиваемая  мощность  биполярного (полевого) транзистора
Рср..................... средняя  рассеиваемая   мощность  биполярного (полевого) транзистора
Pи....................... импульсная    рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора

Рк....................... постоянная рассеиваемая мощность коллектора

Рк,ср.................. средняя рассеиваемая мощность коллектора

Рвх...................... входная мощность биполярного (полевого) транзистора

Рвх (по)............. входная  мощность  в  пике  огибающей  (средняя мощность однотонового сигнала с амплитудой, равной

амплитуде двухтонового сигнала в пике огибающей)
Рвых(по)............ выходная мощность  в пике огибающей  (средняя мощность однотонового сигнала с амплитудой, равной

амплитуде двухтонового сигнала  в пике огибающей)

Рпад................... мощность падающей волны СВЧ сигнала

Рмакс ................ максимально допустимая  постоянная  рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора
Ри,макс.............. максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора
Рк,и,макс........... максимально допустимая  импульсная рассеиваемая мощность  коллектора
Pк,ср,макс......... максимально  допустимая  средняя  рассеиваемая мощность коллектора

Q........................ скважность

Zвх..................... входное полное сопротивление на большом сигнале

бrэ...................... последовательное активное сопротивление эмиттера

Rк....................... сопротивление в цепи коллектор-источник питания

Rбэ...................... сопротивление в цепи база-эмиттер

R6....................... сопротивление в цепи база-источник питания

Rн...................... сопротивление нагрузки

Rr....................... выходное сопротивление генератора при измеренениях

Rси...................... сопротивление сток-исток полевого транзистора

Rси отк.............. сопротивление сток-исток в открытом состоянии

Rt...................... тепловое сопротивление

Rт(п-к)............. тепловое сопротивление переход-корпус

Rт, и(п-к)........ импульсное тепловое сопротивление переход-корпус

Rт (п-с)............ тепловое сопротивление переход-среда

h21э..................... статический коэффициент передачи тока в режимах малого и большого сигналов

Т............................  температура окружающей среды

Тк...................... температура корпуса, для бес корпусных транзисторов -кристаллодержателя (подложки)

Тп....................... температура р-п перехода

t  в к л...................... время включения

tвыкл.................. время выключения

tзд....................... время задержки

tнр...................... время нарастания

tрас..................... время рассасывания

tсп....................... время спада

tи........................ длительность импульса

tф........................ длительность фронта импульса